Новости Библиотека Учёные Ссылки Карта сайта О проекте


Пользовательский поиск





07.12.2011

Предложен новый способ изготовления транзисторов с трёхмерной структурой

Исследователи из Университета Пердью и Гарвардского университета (оба — США) ищут новые материалы для изготовления транзисторов с трёхмерной структурой, призванные прийти на смену традиционному кремнию.

Схематичное изображение транзистора с планарной (слева) и трёхмерной структурой (иллюстрация Intel)
Схематичное изображение транзистора с планарной (слева) и трёхмерной структурой (иллюстрация Intel)

В 2012 году корпорация Intel начнёт производство первых в мире процессоров, использующих технологию Tri-Gate, которая предполагает переход от планарных структур транзисторов к объёмным. 22-нанометровые микрочипы Ivy Bridge обеспечат 37-процентный прирост быстродействия по сравнению с современными 32-нанометровыми изделиями.

Кроме того, уже ведутся исследования по разработке и внедрению 14-нанометровой технологии производства. Однако дальнейшая миниатюризация, считают американские учёные, будет сопряжена с рядом трудностей, отчасти вызванных свойственными кремнию ограничениями на размеры элементов.

Вместо этого материала предлагается использовать полупроводники группы III-V (соединения, в которые входят элементы из подгрупп бора и азота). Речь, в частности, идёт об арсениде индия-галлия InGaAs.

По мнению исследователей, применение InGaAs в транзисторах с трёхмерной структурой позволит преодолеть рубеж в 10 нанометров. А это означает возможность разработки более производительных процессоров с меньшим энергопотреблением.

Результаты работ учёные намерены представить на конференции International Electron Devices Meeting в Вашингтоне (США).

Владимир Парамонов


Источники:

  1. КОМПЬЮЛЕНТА




Rambler s Top100 Рейтинг@Mail.ru
© Злыгостев Алексей Сергеевич, 2001-2017
При копировании материалов активная ссылка обязательна:
http://nplit.ru 'NPLit.ru: Библиотека юного исследователя'