НОВОСТИ   БИБЛИОТЕКА   УЧЁНЫЕ   ССЫЛКИ   КАРТА САЙТА   О ПРОЕКТЕ  






03.03.2010

Реактор нового поколения для роста материалов на основе нитридов галлия и индия

Реактор нового поколения AIX G5 HT от компании AIXTRON устанавливает абсолютный рекорд производительности при росте материалов на основе нитридов галлия и индия.

Компания AIXTRON (Аахен, Германия) представляет пятое поколение MOCVD высокотемпературных реакторов AIX G5 HT. Система на платформе MOCVD нового поколения показала высочайшее качество выращивания слоев GaN при очень больших скоростях роста и при высоком давлении (свыше 600 мбар), а также превосходную однородность слоев GaN/InGaN. Ростовые циклы, которые осуществлялись в корпорации Epistar (технопарк Синчу, Тайвань), были проведены последовательно, без отжига и замены каких-либо частей реактора. Новый MOCVD реактор в настоящее время поступает в массовое производство.

Реактор MOCVD на платформе нового поколения AIX G5 HT вмещает абсолютно рекордное количество подложек (56x2” или 14x4” или 8x6”) и имеет революционные особенности дизайна реактора, позволяющие работать на больших скоростях роста и осуществлять последовательные ростовые циклы без отжига реактора и замены каких-либо деталей. Все это обеспечивает высочайшее качество продукции при более чем удвоенной производительности по сравнению с предыдущими поколениями реакторов.

Реактор новой конструкции обладает высокой гибкостью ростового процесса при превосходной стабильности. Системы AIX G5 HT обеспечивают наименьшее время производства при высокой воспроизводимости от реактора к реактору, что ускоряет расширение производства по сравнению с любыми другими реакторами путем простого копирования рецепта при переносе процесса. Это является ключевым фактором в условиях быстро расширяющегося спроса при ограниченном количестве специалистов-технологов.

Нитриды 3-й группы Периодической системы благодаря своим свойствам являются лидирующим материалом для изготовления сверхярких синих, зеленых, ультрафиолетовых и белых светодиодов, а также синих/фиолетовых лазерных диодов. Благодаря своей физической и радиационной стойкости, химической стабильности и инертности они идеально подходят для применений в космическом пространстве при высоких температурах, высоких давлениях, высоких мощностях. На их основе созданы солнечно-слепые фотодетекторы, биологические и химические сенсоры, различные типы транзисторов с высоким напряжением пробоя и др.

В настоящее время MOCVD технология является ключевой промышленной технологией получения эпитаксиальных гетероструктур для указанных выше приборов и применений.

Булаев Петр Валентинович


Источники:

  1. nanometer.ru










© Злыгостев А.С., 2001-2019
При использовании материалов сайта активная ссылка обязательна:
http://nplit.ru/ 'Библиотека юного исследователя'
Рейтинг@Mail.ru